晶振應(yīng)用說明和水晶條款詳細(xì)講解
我們對晶振的專業(yè)了解如下分支架,頻率,基本模式,泛音模式,頻率容差,電阻,驅(qū)動電平,老化,頻率穩(wěn)定性,分流電容,工作溫度范圍,負(fù)載電容等專業(yè)講解,怎么去應(yīng)用就看情況和變化,我們也要在掌握理論知識的情況下做好一切實踐準(zhǔn)備所有帶來的不同變化去應(yīng)變應(yīng)用.
支架:一個外殼,內(nèi)有一塊薄薄的石英晶體或帶有真空蒸發(fā)金屬電極的晶體條和用于連接的端子.
頻率:每秒發(fā)生的輸出波形的周期數(shù).頻率單位是每秒周期數(shù),或赫茲,縮寫為Hz.
基本模式:水晶的主要模式.
泛音模式:根據(jù)指定的振蕩模式為頻率分配的奇數(shù).標(biāo)準(zhǔn)的第三泛音模式,然后是第五,第七,第九等.超越第九泛音是不切實際的.頻率不是基頻的三倍,五倍,七倍或九倍.
頻率容差:室溫下允許的標(biāo)稱頻率偏差.頻率容差以百分比表示,典型值±0.005％或百萬分之幾(ppm),±50ppm.
等效串聯(lián)電阻:晶體在工作諧振電路中表現(xiàn)出的阻抗值.
驅(qū)動電平:電路中晶體所經(jīng)歷的功耗量.驅(qū)動電平以毫瓦或微瓦表示.過高的驅(qū)動電平將導(dǎo)致長期頻率漂移或晶體斷裂.
老化:一段時間內(nèi)的相對頻率變化.這種頻率變化率通常是指數(shù)性的.通常,老化是在前30天內(nèi)計算出來的,并且是長期(一年或十年)計算的.最高老化率發(fā)生在手術(shù)的第一周內(nèi),之后緩慢下降.
頻率穩(wěn)定性:在指定溫度范圍(即0至+70oC)下,與25°C時的測量頻率相比,允許的最大頻率偏差.
分流電容:分流電容(CO)是晶體端子之間的電容.它隨封裝而變化,通常在SMD(典型值為4pF)時較小,在含鉛晶體中為6pF.
雜散:通常高于工作模式的不需要的諧振,以dBmax為單位.或ESR的次數(shù).必須指定頻率范圍.例如,在F0±200kHz的頻率窗口中,雜散響應(yīng)應(yīng)至少為6dB或2.5×R.
振動模式:石英晶體的振動模式隨晶體切割而變化,例如用于AT切割和BT切割的厚度剪切,或用于音叉晶體(+5oX)切割的彎曲模式,或用于CT,DT切割的面剪切模式.最受歡迎的切割是AT切割,它在很寬的溫度變化范圍內(nèi)提供對稱的頻移.
工作溫度范圍:晶體單元在特定條件下工作的溫度范圍.
負(fù)載電容:負(fù)載電容(CL)是貼片晶振振蕩器對兩個晶體端子的總電容量.當(dāng)晶體以并聯(lián)模式使用時,需要指定負(fù)載電容.負(fù)載電容計算如下:

Cstray可能從2p??F到6pF不等.
可移動性:作為并聯(lián)諧振晶體中的負(fù)載電容CL的函數(shù)的頻率變化.可拉性是并聯(lián)電容Co運動電容C1和進(jìn)口晶振晶體尺寸的函數(shù).
絕緣電阻:晶體引線之間或引線和外殼(金屬外殼)之間的電阻.它使用100V±15V的直流電壓進(jìn)行測試,絕緣電阻在500兆歐的范圍內(nèi).
串聯(lián)諧振:串聯(lián)諧振在諧振時阻抗最小時發(fā)生.它的串聯(lián)諧振等效電路是一個電阻器.
品質(zhì)因數(shù):是運動電感,共振頻率和ESR的質(zhì)量函數(shù).它通常在十到一百的范圍內(nèi).
晶體等效電路

示出了石英晶體振蕩器的等效電路,以解釋控制晶體特性和性能的基本元素.它由運動電容C1,電感L1,串聯(lián)電阻R1??和分流電容C0組成.前三個參數(shù)被稱為石英晶體元件的“運動參數(shù)”.
同上和對應(yīng)圖的不同情況講解,我們要記住這些才能在實踐中找到不同變化帶來的應(yīng)用技術(shù)和技巧,自己或者客戶的要求可以及時的處理掉,專業(yè)的基礎(chǔ)知識加上實踐就更完美的完成我們所有.

正在載入評論數(shù)據(jù)...

此文關(guān)鍵字：晶振技術(shù)參數(shù)石英晶體資料石英晶振應(yīng)用說明

技術(shù)支持

帝國博客

晶振應(yīng)用說明和水晶條款詳細(xì)講解

相關(guān)資訊

帝國科技

服務(wù)熱線

姓名：
郵箱：
正文：