規(guī)格型號(hào)：40863605
頻率：12.0~64.0MHZ
尺寸：2.0*1.6mm
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產(chǎn)品描述：DSX220G陶瓷面晶振,KDS原裝正品,游戲機(jī)貼片晶振,高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品...

DSX220G陶瓷面晶振,KDS原裝正品,游戲機(jī)貼片晶振,高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).

規(guī)格參數(shù)	DSX220G
頻率范圍	12.0~64.0MHz
負(fù)載電容	8pF,10pF,12pF
工作溫度	±50×10^-6/-40~+85℃(Ref.to 25℃) ±100×10^-6/-40~+125℃(Ref.to 25℃) ±200×10^-6/-40~+150℃(Ref.to 25℃)
存儲(chǔ)溫度	-40~+150℃
頂點(diǎn)溫度	+25℃ ± 5℃
周波數(shù)偏差	±30×10^-6,±50×10^-6,±100×10^-6
二次溫度系數(shù)	-0.04×10^-6 /℃²max
老化率	±1.0×10^-6 max /year
起動(dòng)時(shí)間	2.0ms max

激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率.

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加.

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容.

近來由于污染排放總量管制受到應(yīng)有重視,各種污染減量與管理機(jī)制的議題已陸續(xù)成為主管機(jī)關(guān)與企業(yè)間執(zhí)行污染防制的重點(diǎn),而大真空電子本身由于受到環(huán)保機(jī)關(guān)污染總量管制,污染物排放量有一定的承諾限值,加上各類相關(guān)環(huán)保議題的要求,亦訂定與規(guī)劃相關(guān)減量目標(biāo),全力保護(hù)有限的地球資源與環(huán)境.有鑒于環(huán)保意識(shí)抬頭,大真空電子多年來在環(huán)保工作上持續(xù)努力,期望藉由環(huán)境管理、自發(fā)且持續(xù)的改善,達(dá)到改善環(huán)境、減少環(huán)境沖擊的實(shí)質(zhì)目的.本公司于2002年6月開始推行ISO 14001環(huán)境管理系統(tǒng),持續(xù)改善整體環(huán)境并有助提高經(jīng)營(yíng)績(jī)效,同時(shí)強(qiáng)化內(nèi)外銷競(jìng)爭(zhēng)力與提升公司形象.我們承諾將會(huì)持續(xù)維護(hù)ISO 14001環(huán)境管何可能污染環(huán)境的因素,善盡社會(huì)責(zé)任.

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