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- 規格型號：60504198
- 頻率：9.6~52.0MHZ
- 尺寸：2.5*2.0mm詳細內容請瀏覽PDF文檔
- 產品描述：2520有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接...
DSB221SCL振蕩子,KDS晶振型號,溫補振蕩器TCXO
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DSB221SCL振蕩子,KDS晶振型號,溫補振蕩器TCXO,頻率范圍13.0MHZ~52.0MHZ,精度值可達0.5PPM,電源電壓1.7V~3.5V供選擇,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.
| 規格參數 | DSB221SCL |
| 頻率范圍 | 13.0~52.0MHZ |
| 電源電壓 | 1.7~3.5V |
| 負載電容 | 10pF |
| 溫度特征 |
±0.5×10-6 max /-30~+85℃ ±0.5×10-6 max /-40~+85℃ (Option) |
| 消費電流 |
+1.5mA max (f≤26MHZ) +2.0mA max (f＞26MHZ) |
| 負荷變動特性 | ±0.2×10-6 max (10KΩ//10pF±10%) |
| 電源電壓特性 | ±0.2×10-6 max (Vcc±5%) |
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
| 起動時間 | 2.0ms max |
＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對晶體諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用.
讓諧振器振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值.本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上,若是車載和安全設備,則推薦10倍以上.
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮.
有些晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接.關于個別機型請確認宣傳冊、規格書.
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調諧電路.
如果過大的激勵電力對晶體諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在晶體濾波器的輸入電平在10dBm以下的狀態下使用.
＜光學產品＞
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進行清潔度管理的環境中使用.
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大真空針對晶體產品中所含的以鉛為首的六價鉻、汞、鎘、PBB、PBD等RoHS指令(Directive of the Restriction of use of the Hazardous Substances)及車載相關管制的ELV(End of Life Vehicles Directive)中列明的管制物質、以及阻燃劑中 使用的鹵素化合物,積極開展削減工作,并準備了RoHS/ELV指令對應產品、無鹵產品以及無鉛產品.
高溫焊錫和DSX-G系列的低熔點玻璃中所含的鉛以及DSO/DSV753H系列、DSV753C系列、DLC117中使用的片狀電阻中所含的鉛不屬于RoHS指令(Directive of the Restriction of the use of the Hazardous Substances)以及ELV指令(End of Life Vehicles Directive)的適用范圍,被允許使用.
高溫焊錫和DSX-G系列的低熔點玻璃中所含的鉛以及DSO/DSV753H系列、DSV753C系列、DLC117中使用的片狀電阻中所含的鉛不屬于RoHS指令(Directive of the Restriction of the use of the Hazardous Substances)以及ELV指令(End of Life Vehicles Directive)的適用范圍,被允許使用.
為了應對商業環境的變化,我們努力擺脫傳統業務風格和轉向利潤價值管理.我們會繼續加強我們產品的選擇和集中,,我們將努力提高我們公司的價值.
石英裝置市場有望進一步擴大,電信、數字家庭電器和汽車電子.大真空集團利用領先的技術積累和技術因素,為了滿足更大的復雜性和將它們連接到產品差異化.
此外,通過獲得優勢與量子色(質量成本交付)作為生產戰略和銷售策略追求的需要,我們的目標是為CS(顧客滿意度)和“KDS”品牌吸引力.我們將闡明域身份和集中管理資源.此外,隨著集成技術,生產和銷售,我們將努力業務開發和有效的管理.
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