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- 規(guī)格型號：25824490
- 頻率：10.0~40.0MHZ
- 尺寸：2.5*2.0*0.8mm詳細內(nèi)容請瀏覽PDF文檔
- 產(chǎn)品描述：有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無...
大真空DSA221SJ晶振,VC-TCXO有源晶振,壓控溫補振蕩器
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大真空DSA221SJ晶振,VC-TCXO有源晶振,壓控溫補振蕩器,具有最適合于移動通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,體積:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對應回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
| 規(guī)格參數(shù) | DSA221SJ |
| 頻率范圍 | 9.6~52.0MHZ |
| 電源電壓 | 1.8~3.3V |
| 負載電容 | 10pF |
| 溫度特征 |
±1.0×10-6 max /-30~+85℃ ±1.5×10-6 max /-30~+85(Option) |
| 消費電流 |
+1.5mA max (f≤26MHZ) +2.0mA max (f＞26MHZ) |
| 負荷變動特性 | ±0.2×10-6 max (10KΩ//10pF±10%) |
| 電源電壓特性 | ±0.2×10-6 max (Vcc±5%) |
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
| 起動時間 | 2.0ms max |
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＜SMD產(chǎn)品＞
SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝,但還是請預先基于所使用的搭載機實施搭載測試,確認其對特性沒有影響. 在切斷工序等會導致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊. 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得晶體產(chǎn)品（諧振器、振蕩器、濾波器）內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮.
有些晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內(nèi)部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接.關(guān)于個別機型請確認宣傳冊、規(guī)格書.
大真空提供有遠見的解決方案通過開發(fā)和生產(chǎn)各種水晶設(shè)備,滿足多元化的市場需求.大真空也開發(fā)了一套系統(tǒng),可以使來自不同部門的專家跨職能協(xié)作和合作,所以我們可以提供高質(zhì)量的石英設(shè)備及時和有效的方式.我們公司的可靠性是由我們的員工能力迅速做出反應,個別員工產(chǎn)生的協(xié)同效應.KDS品牌創(chuàng)建和支持的人.信任不斷由個別員工通過日常任務會導致更大的依賴我們的客戶.
大真空針對晶體產(chǎn)品中所含的以鉛為首的六價鉻、汞、鎘、PBB、PBD等RoHS指令（Directive of the Restriction of use of the Hazardous Substances）及車載相關(guān)管制的ELV（End of Life Vehicles Directive）中列明的管制物質(zhì)、以及阻燃劑中 使用的鹵素化合物,積極開展削減工作,并準備了RoHS/ELV指令對應產(chǎn)品、無鹵產(chǎn)品以及無鉛產(chǎn)品.
在所有領(lǐng)域的業(yè)務活動,從開發(fā),生產(chǎn)和銷售水晶的應用產(chǎn)品,Daishinku集團業(yè)務策略促進普遍信任的環(huán)境管理活動.
大真空集團將:
主動在能源和資源節(jié)約通過適當?shù)乜刂莆镔|(zhì)與環(huán)境的影響和減少它們的使用.
有效利用資源,防止環(huán)境污染的減少和妥善處理廢物,包括重用和回收.
防止全球變暖,開展節(jié)能活動,減少二氧化碳排放.
避免采購或使用礦物質(zhì),直接或間接金融或受益武裝組織在剛果民主共和國或鄰近的國家.
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