規(guī)格型號(hào)：18063063
頻率：4.001~70.0MHZ
尺寸：8.8*3.0mm
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產(chǎn)品描述：日本西鐵城CMR309T,"CMR309T48.000MABJTR"手機(jī)石英晶振,貼片音叉晶振,高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一...

日本西鐵城CMR309T,手機(jī)石英晶振,貼片音叉晶振,"CMR309T48.000MABJTR",高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).

西鐵城晶振參數(shù)	符號(hào)	CMR309T規(guī)格
公稱頻率	f_nom	4.001MHZ~70.0MHZ
頻率容許偏差	f_tol	±30ppm
頂點(diǎn)溫度	Ti	+25±5ºC
保存溫度范圍	T_stg	−55ºC to+125ºC
工作溫度范圍	T_use	−40ºC to+85ºC
負(fù)載容量	CL	18.0pF Max
串聯(lián)電阻	R1	500MΩ Min
絕對(duì)最大激勵(lì)等級(jí)	DL	100μW Max
并聯(lián)電容	C ₀	5.0pF typ
頻率老化程度	f_age	±5 x 10^-6

2007年4月1日西鐵城集團(tuán)完成了向純粹持股公司的體制轉(zhuǎn)變,并以此為契機(jī),于4月6日制定了“西鐵城集團(tuán)企業(yè)行動(dòng)憲章”. 西鐵城集團(tuán)遵照“西鐵城集團(tuán)企業(yè)行動(dòng)憲章”開(kāi)展事業(yè)活動(dòng),在完成企業(yè)的社會(huì)性責(zé)任的同時(shí),也為持續(xù)型社會(huì)的發(fā)展做出了貢獻(xiàn)."CMR309T48.000MABJTR",

西鐵城提出的“為市民所喜愛(ài)、為市民做貢獻(xiàn)”的企業(yè)理念,是指通過(guò)“生產(chǎn)為市民所喜愛(ài)、為市民所親近的產(chǎn)品”,為全世界人民的美好生活做出廣泛貢獻(xiàn).

運(yùn)用世界領(lǐng)先的小型精密技術(shù)發(fā)掘尚未被開(kāi)發(fā)出來(lái)的、符合人們期待和需求的產(chǎn)品及“新的款式“,不斷創(chuàng)造出實(shí)際價(jià)值.這就是西鐵城集團(tuán)的“Micro Human Tech”——想象力和科學(xué)技術(shù)碰撞交融后的結(jié)晶.

大部份的石英晶體產(chǎn)品"CMR309T48.000MABJTR",是用于電子線路上的參考頻率基準(zhǔn)或頻率控制組件, 所以, 頻率與工作環(huán)境溫度的特性是一個(gè)很重要的參數(shù). 事實(shí)上, 良好的頻率與溫度(frequeny versus temperature)特性也是選用石英做為頻率組件的主要因素之一. 經(jīng)由適當(dāng)?shù)亩x及設(shè)計(jì), 石英晶體組件可以很容易的就滿足到以百萬(wàn)分之一 (parts per million, ppm) 單位等級(jí)的頻率誤差范圍. 若以離散電路方式將LCR零件組成高頻振蕩線路, 雖然也可以在小量生產(chǎn)規(guī)模達(dá)到所需要的參考頻率信號(hào)誤差在ppm或sub-ppm等級(jí)要求, 可是這種方式無(wú)法滿足產(chǎn)業(yè)要達(dá)到的量產(chǎn)規(guī)模. 石英組件的頻率對(duì)溫度特性更是離散振蕩線路無(wú)法簡(jiǎn)易達(dá)成的. 在(圖四) 中提供了數(shù)種不同的石英晶體切割角度的頻率對(duì)溫度特性曲線.

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