編程這個(gè)詞對(duì)我們晶振行業(yè)來說算的上是陌生名詞，但電腦編程程序編程員我們還會(huì)有聽過的，就是不知道他們具體是做什么的。所以一般如果有人跟你說自己是搞編程的一定會(huì)讓你感到絲絲神秘感吧，但不用著急，現(xiàn)在我們晶振也有編程了，一起來看看這是怎樣一顆神秘的石英晶振。
    那么可編程石英晶振目前市場(chǎng)如何呢？可編程石英晶振目前市場(chǎng)前景在中國(guó)國(guó)內(nèi)來說市場(chǎng)并不是很好，國(guó)內(nèi)主要還是使用常規(guī)的壓電石英晶體振蕩器多點(diǎn)，目前硅晶體可編程系列在國(guó)內(nèi)接受度并沒有得到廣泛的認(rèn)可，說難聽點(diǎn)很多人連聽都沒聽說過，更別說使用了。
    目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)有用到硅晶體可編程貼片晶振的企業(yè)主要以歐美企業(yè)，以及代工歐美OEM的企業(yè)比較多，因?yàn)榭删幊逃性淳д裨跉W盟接受度還是比較大的。不過可硅晶體編程有源晶振對(duì)于一些工程設(shè)計(jì)，或者產(chǎn)品開發(fā)人士來說是件非常好的事情，因?yàn)楹芏喈a(chǎn)品在開發(fā)階段使用頻率都還處在選型階段，而且硅晶體屬于可編程貼片晶振，這樣就大大的滿足了工程設(shè)計(jì)階段樣品采購。
    什么叫做可編程晶振？其實(shí)可編程還有個(gè)很好聽的名字叫做：硅晶體，可編程石英晶振簡(jiǎn)單的解釋就是，把你需要的晶振頻率，精度，電壓，負(fù)載等要求提供過來，在通過簡(jiǎn)單的電腦編輯器，把你需要的這些參數(shù)在電腦控制器上，輸入你所提供的參數(shù)，然后按下確定鍵就可以把頻率，電壓等參數(shù)寫入到空白的晶振片上。如果還是不明白你就想一下，IC是怎么編程的，原理跟IC編程一個(gè)道理，只不過IC編程有分為電腦編輯以及手工模擬編輯，手工模擬編輯就是把一顆工片放在主機(jī)上，母片放入編輯機(jī)的附件，按下確定就可以把公片上的IC系列參數(shù)復(fù)制進(jìn)入母片，不過目前可編輯的石英晶振現(xiàn)在還沒做到這種地步。
愛普生晶振可編程晶振         SG-8101CA          SG-8101CB          SG-8101CE SG-8101CG
Size：  7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ.        2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ.
Output CMOS  Frequency range  [ f0 ]   0.67 MHz to 170 MHz
Supply voltage  [ Vcc]    1.62 V to 3.63 V  (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. )
Frequency tolerance  /Operating temperature ±15 x 10-6 / -40℃ to +85℃  ±20 x 10-6 / -40℃ to +105℃  ±50 x 10-6 / -40℃ to +105℃
Current consumption       f0 = 20 MHz  3.0 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃)  3.5 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)
f0 = 170 MHz  6.8 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃)  8.1 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)  Standby current 0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ )  0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ ) 
Field oscillator programming tool     SG-Writer II愛普生晶振可編程系列
    目前石英晶振行業(yè)可編輯的只針對(duì)貼片晶振系列產(chǎn)品，并且只限定有源晶振的石英晶體振蕩器OSC系列尺寸。如果是普通無源石英晶體諧振器系列的話，目前是還不支持可編程的，并且是指針對(duì)SMD晶振系列，如果是引線型的插件晶振目前也不在支持范圍。
編程器與FP空白片  任意頻率，多種規(guī)格：         SiT6100DK（SiTime硅晶振編程器套裝）；SiT800X/ SiT200X（低功耗可編程晶振空白片，6種封裝尺寸）；SiT8208/9A1-X1-XXX-000.FP000（低抖動(dòng)可編程晶振空白片）；SiT912X/ SiT38XX（壓控差分可編程晶振空白片，3種封裝尺寸）。
SiTime硅晶振選型表：普通單端振蕩器XO  1-220MHz  ；高性能、低抖動(dòng)  <1 ps Phase Jitter  ±10ppm SiT8208（1-80MHz）  SiT8209（80.000001-220 MHz）；  低功耗系列  <3.8mA          SiT8008（1-110MHz,最小封裝尺寸2.0×1.6mm）  SiT8009（115-137MHz）；  業(yè)界首款SOT23封裝振蕩器  成本更低       SiT2001（1-110MHz,SOT23-5封裝2.9×2.8mm）  SiT2002（115-137MHz）  RTC時(shí)鐘32.768KHz ； 超低功耗，超高精度 典型值0.9uA  ±20ppm     SiT1533（2.0×1.2mm,SMD）  SiT1532（1.5×0.8mm,CSP）  SiT1630（2012 SMD,-40～105℃） ； 業(yè)界精度最高32.768K TCXO          SiT1552（±5ppm,1.5×0.8mm）；  差分振蕩器DXO  1-625MHz LVDS/LVPECL  <1 ps Phase Jitter  ±10ppm  SiT9121（1-220MHz,2.25～3.63v）  SiT9122（220.000001-625MHz，最小封裝可到3.2×2.5mm）；  壓控振蕩器VCXO  1-625MHz   <1 ps Jitter  LVCMOS/LVTTL   SiT3808（1-80MHz,pull rang ±25 ppm to ±1600ppm）  SiT3809（80.000001-220 MHz）  <0.75 ps Jitter  LVDS/LVPECL         SiT3821（1-220MHz）  SiT3822（220.000001-625MHz）；  抗沖擊寬溫振蕩器  -55℃～125℃，±20ppm  MTBF  13億小時(shí)；         AEC-Q100汽車級(jí)振蕩器  SOT23-5封裝      SiT2024（1-110MHz, -40～105℃, -40～125℃）  SiT2025（115.2-137MHz）；  AEC-Q100汽車級(jí)振蕩器  普通SMD封裝     SiT8924（1-110MHz, -40～125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm）  SiT8925（220.000001-625MHz） ； 50kg沖擊軍品級(jí)振蕩器  SOT23-5封裝    SiT2020（1-110MHz, -55～125℃）  SiT2021（119.342001-137MHz）；  50kg沖擊軍品級(jí)振蕩器  標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝         SiT8920（1-110MHz, -55～125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm）  SiT8921（119.342001-137MHz）
愛普生晶振可編程系列 SG-9101CA          SG-9101CB          SG-9101CE SG-9101CG
Size      7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ.        2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ.
Output CMOS  Frequency range  [ f0 ]   0.67 MHz to 170 MHz  Supply voltage
[ Vcc]    1.62 V to 3.63 V  (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. )  Spread-spectrum  Down or Center spread modulation
Operating temperature   -40℃ to +85℃  -40℃ to +105℃
Current consumption       f0 = 20 MHz  3.2 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃)  3.7 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)
f0 = 170 MHz  7 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃)  8.3 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)  Standby current    0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ )  0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ ) 
Field oscillator programming tool     SG-Writer II愛普生晶振可編程SG-9101系列
    根據(jù)早期電子元件信息平臺(tái)發(fā)布，將來美國(guó)SiTime Corporation公司的硅晶體技術(shù)將會(huì)代替壓電石英晶體，首先主要是先把硅晶體晶片植入ICCUP芯片一起綁定，硅晶體晶片跟ICCPU綁定之后，在外圍的線路上講可以省略預(yù)留壓電石英晶體的位置，起到對(duì)貼片晶振的取代，并且可以為日益變小的電子產(chǎn)品節(jié)省更多的空間，不過時(shí)間都已經(jīng)過去好幾年了，也沒見多有所行懂，目前應(yīng)該還存在理論上。
KDS晶振可編程系列M08008系列晶振
出力周波數(shù)：1 MHz～110 MHz（小數(shù)點(diǎn)以下6桁まで対応）
外形寸法：2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0 mm
周波數(shù)許容偏差：±20 x 10-6
低消費(fèi)電流：+3.5 mA (typical、Vdd = +1.8V)
IDSC,DVC、DVR、IP CAM,e-Books Tablets,SSD,GPON、EPON等
USB,以及入門級(jí)SATA,SAS,Firewire 100米,1 G / 10g /以太網(wǎng)
KDS晶振可編程    記號(hào) Min.  Typ.   Max. 単位 條件
出力周波數(shù)範(fàn)囲   f        1       -        110   MHz 
電源電圧      Vdd   +1.62          +1.8  +1.98          V  +2.25   +2.5  +2.75  +2.52      +2.8  +3.08  +2.7        +3.0  +3.3  +2.97        +3.3  +3.63  +2.25         -        +3.63
動(dòng)作溫度範(fàn)囲       T_use         -20    -        +70   ℃     Extended Commercial  -40  -        +85   Industrial
周波數(shù)許容偏差   F_stab        -20    -        +20   ×10-6       +25℃での初期周波數(shù)偏差、経時(shí)変化(1年)、溫度特性、
動(dòng)作電源電圧範(fàn)囲での電源電圧特性、負(fù)荷特性を含む。  -25      -        +25  -50   -        +50
消費(fèi)電流      Idd    -        +3.8  +4.5  mA    No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.8V ~ +3.3V  -     +3.7  +4.2 No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.5V  -  +3.5  +4.1  No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +1.8V 
OEディスエーブル電流        I_od  -        -        +4.2  mA    Vdd = +2.5V ~ +3.3V, OE = GND, Output in high-Z state  -         -        +4.0  Vdd = +1.8V, OE = GND, Output in high-Z state
スタンバイ時(shí)電流         I_std -        +2.1  +4.3  μA   ST= GND, Vdd = +2.8V ~ +3.3V, Output is weakly pulled down  -       +1.1  +2.5  ST= GND, Vdd = +2.5V , Output is weakly pulled down  -      +0.2  +1.3  ST= GND, Vdd = +1.8V, Output is weakly pulled down
デューティーサイクル DC     45     -        55     %      All Vdds
0レベル電圧        VOL   -        -        Vdd × 0.1         V       IOL = +4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V)  IOL = +3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V)   IOL = +2.0 mA (Vdd = +1.8V)
1レベル電圧        VOH  Vdd × 0.9         -        -        V       IOH = -4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V)  IOH = -3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V)   IOH = -2.0 mA (Vdd = +1.8V)
立上り、立下り時(shí)間     Tr,Tf   -        1.0    2.0    ns      Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V, 20% ~ 80%  -   1.3    2.5    Vdd =+1.8V, 20% ~ 80%  -   -         2.0    Vdd = +2.25V ~ +3.63V, 20% ~ 80%
OE 0レベル入力電圧    VIL    -        -        Vdd × 0.3         V       Pin 1, OE or ST
OE 1レベル入力電圧    VIH   Vdd × 0.7         -        -        V       Pin 1, OE or ST
起動(dòng)時(shí)間      T_start       -        -        5.0    ms    Vddが定格最小値に達(dá)してからの時(shí)間
出力イネーブル時(shí)間
出力ディスエーブル時(shí)間      T_oe -        -        130   ns      f = 110 MHz. For other frequencies, T_oe = 100 ns + 3 * cycles
レジューム時(shí)間   T_resume  -        -        5.0    ms    ST 端子が50%のしきい値に達(dá)してからの時(shí)間
RMSピリオドジッタ    T_jitt -        1.8    3.0    ps      f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V  -   1.8    3.0    f = 75 MHz, Vdd = +1.8V
Peak-to-peak ピリオドジッタ        T_pk  -        12     25     ps      f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V  -   14     30     f = 75 MHz, Vdd = +1.8V
RMS位相ジッタ (ランダム) T_phj          -        0.5    0.9    ps      f = 75 MHz, Integration bandwidth = 900 kHz ~ 7.5 MHz  -      1.3    2.0    f = 75 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz ~ 20 MHz
    那么目前在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)都有那些品牌在做可編程石英晶振呢？在做的品牌有日本大真空KDS晶振，精工愛普生株式會(huì)社，愛普生晶振，日本京瓷晶振，KSS晶振品牌，以及臺(tái)灣泰藝晶振，臺(tái)灣亞陶晶振，美國(guó)SiTime晶振，不過目前在市場(chǎng)銷售的品牌也就主要以美國(guó)SiTime晶振品牌為主了，臺(tái)灣晶振品牌，以及日本進(jìn)口晶振品牌中，在市場(chǎng)公開普及銷售的還是比較少，不過日本的愛普生晶振品牌，以及KDS晶振品牌，這兩個(gè)品牌目前可接受可編程晶振的定制，不過價(jià)格比起普通的壓電石英晶體振蕩器來說，還是非常昂貴的。
    現(xiàn)在市面上對(duì)硅晶體技術(shù)以及產(chǎn)量做的最優(yōu)越的還得說美國(guó)的SiTime Crystal，對(duì)于美國(guó)SiTime晶振品牌來說在歐美市場(chǎng)非常受歡迎，并且很多大型科技企業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，很遺憾的事，可編程硅晶體目前只針對(duì)有源石英晶體振蕩器系列，并不對(duì)普通壓電石英晶振可采取數(shù)據(jù)編輯。
看到揭開神秘面紗后的可編程晶振感覺如何，就是不知道你有沒有被它驚艷到，雖然現(xiàn)在可實(shí)現(xiàn)范圍不廣但依然不可阻擋它那奪目的光芒。