規(guī)格型號：46741116
頻率：32.768KHZ
尺寸：1.6*1.0mm
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產(chǎn)品描述：ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHZ晶振,ILSIAmerica成立于1987年，總部位于加州科斯塔梅薩。當(dāng)時的商業(yè)模式很簡單，成為晶體和時鐘振蕩器的供應(yīng)商，以支持北美頻率控制市場。在隨后的29年中，隨著全球頻率控...

ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHZ晶振, ILSI America成立于1987年，總部位于加州科斯塔梅薩。當(dāng)時的商業(yè)模式很簡單，成為晶體和時鐘振蕩器的供應(yīng)商，以支持北美頻率控制市場。
在隨后的29年中，隨著全球頻率控制產(chǎn)品市場需求呈指數(shù)級增長和全球化，ILSI通過有機(jī)增長和收購應(yīng)對不斷變化的市場和客戶群。
1995年，ILSI 晶振北京中國辦事處開業(yè)。1998年，ILSI美國公司搬遷到它現(xiàn)在的位置，這是一個位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年，ILSI香港中海物流中心開業(yè)。2007年ILSI韓國辦事處的開業(yè)完成了我們在美國和亞洲提供真正實體店的目標(biāo)，這些實體由直接員工提供，以支持我們在北美，墨西哥，亞洲和歐洲快速增長的客戶群。

LISI CRYSTAL又名艾爾西晶振,是美國一家專業(yè)生產(chǎn)制作時鐘振蕩器的供應(yīng)商.ILSI晶振美國公司成立于1987年,總部位于加州科某件塔梅薩.
擁有一流的生產(chǎn)技術(shù),先進(jìn)的高端儀器設(shè)備,致力于研發(fā)生產(chǎn)貼片晶振,有源晶振產(chǎn)品以及不斷增長收購企業(yè).ILSI Crystal發(fā)展至今在加拿大.ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.

ILSI晶振規(guī)格	單位	IL3W晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	0.5µW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10^-6 （最大）	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.jiulve.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±20 × 10^-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF，9pF，12.5pF（請參閱下面的表）,	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時注意事項
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.

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